Tento týždeň už ste na našich stránkach mohli vidieť mašinku na výrobu procesorov alebo zloženie podmorského internetového kábla. Ďalšou zaujímavosťou zo sveta PC hardvéru je nová technológia výroby Flash pamätí.
Súčasné Flash pamäte sa vyrábajú typicky 19 nm technológiou. Ďalšie zmenšovanie na 16, resp. 15 nm už však prináša vážne problémy. Pamäťové bunky už sú také malé, že dve susedné sa navzájom môžu ovplyvňovať, takže ich hodnoty sa môžu neočakávane meniť (zo stavu 0 na 1 a opačne), čím sa stávajú nespoľahlivými. Samsung však tvrdí, že má recept na ďalší vývoj. Namiesto klasických rovinných „2D“ buniek totiž začal používať nové 3D vertikálne NAND bunky (3D V-NAND), ktoré vytvoril stohovaním 24 vrstiev rovinných buniek na seba, do 3D valčekovej štruktúry. Na zabránenie ovplyvňovania susedných buniek výrobca nepoužil plávajúce hradlo, ale nevodivú vrstvu nitridu kremíka.
Pre bežného smrteľníka to znamená asi toľko, že tieto pamäte budú spoľahlivejšie (podľa výrobcu 2x-10x oproti predchádzajúcej generácii), majú dosahovať 2x rýchlejší zápis a hlavne, vo vývoji ich výrobca môže zas nejaký čas zmenšovať a tak vývoj SSD diskov, Flash pamätí mobilov či USB kľúčov neustane. Aby Samsung dokázal, že nestrieľa do vetra, predstavil už aj prvé SSD (hoci len pre enterprise trh) postavené na 3D V-NAND.
Zdroj a foto: Samsung